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深圳市鸿芯达热卖IPD50N10S3L16ATMA1
发布时间: 2022/8/16 10:03:09 | 57 次阅读
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS?
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 15 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2.4V @ 60?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 64 nC @ 10 V
Vgs(值) ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 4180 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(值) 100W(Tc)
工作温度 -55?C ~ 175?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 %2B 接片),SC-63
基本产品编号 IPD50N10
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS?
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 15 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2.4V @ 60?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 64 nC @ 10 V
Vgs(值) ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 4180 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(值) 100W(Tc)
工作温度 -55?C ~ 175?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 %2B 接片),SC-63
基本产品编号 IPD50N10