类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  
制造商 Infineon Technologies  
系列 CoolMOS? P7  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 650 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A（Tc）  
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 99 毫欧 @ 10.5A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 530?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 45 nC @ 10 V  
Vgs（值） ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 1952 pF @ 400 V  
FET 功能 -  
功率耗散（值） 117W（Tc）  
工作温度 -55?C ~ 150?C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 PG-TO263-3  
封装/外壳 TO-263-3，D?Pak（2 引线 %2B 接片），TO-263AB  
基本产品编号 IPB60R099