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深圳市鸿芯达热卖IRF9640STRLPBF
发布时间: 2022/8/4 10:31:49 | 72 次阅读
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 44 nC @ 10 V
Vgs(值) ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 1200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(值) 3W(Ta),125W(Tc)
工作温度 -55?C ~ 150?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D?PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D?Pak(2 引线 %2B 接片),TO-263AB
基本产品编号 IRF9640
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 44 nC @ 10 V
Vgs(值) ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 1200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(值) 3W(Ta),125W(Tc)
工作温度 -55?C ~ 150?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D?PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D?Pak(2 引线 %2B 接片),TO-263AB
基本产品编号 IRF9640